主营: | 场效应管,IGBT单管,电源IC,光耦,电源IC,4000系列,74系列,LM系列,UC系列,AT系列等电子元件 | |
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企业: | 未核实 | |
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联系人:陈先生 电 话:86-0755-23949109
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地 址:福田区振中路国利大厦
发布日期: 2013年6月25日 有效期至 2013年12月22日
- 产品描述
- 我要留言
标准包装 | 50 |
---|---|
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 97A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 9 毫欧 @ 58A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 120nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4820pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 230W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
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